用于 XBC 电池生产过程中对掩膜层进行蚀刻开膜的关键设备
1、高精度图形化蚀刻：采用特殊光路设计和光斑整形后的超快激光，对各类掩膜层进行高速精密蚀刻。
2、基底损伤小：设备利用超快激光的特性，在蚀刻过程中对基底损伤极小，能够有效保护硅片的性能，确保电池片的质量和良率。
3、兼容多种硅衬底：满足不同类型硅片的生产需求，具有较强的通用性。
4、提高电池电学性能：通过精准开膜定义P区/N区并确保gap区一致性，实现优异的电学隔离与载流子收集效率。
5、高效产能：设备产能较高，可满足大规模生产需求。
6、低碎片率：设备运行稳定可靠，碎片率低。
