等离子体增强化学气相沉积设备PECVD

等离子体增强化学气相沉积设备PECVD

等离子体增强化学气相沉积设备PECVD

功能介绍

利用等离子体激活气态反应物,低温环境下在基材表面沉积均匀、致密的功能性薄膜。

1、等离子体激活反应:通过射频、微波等方式电离反应气体,产生高活性等离子体,降低反应活化能,实现低温下的薄膜沉积。
2、多类型薄膜制备:可沉积氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等多种薄膜,适配不同功能需求。
3、工艺精准调控:精确控制反应压力、温度、气体流量、等离子体功率,实现薄膜厚度、成分、致密度的精准控制。
4、均匀性保障:通过优化腔体结构和等离子体分布,确保硅片表面薄膜的片内、片间均匀性。

参数配置
  • 产品尺寸L11160mm*W2280mm*H4527mm
  • 平均开机率98%
  • 炉管内径480mm/540mm
  • 单管载片量504~768片/管
  • 硅片尺寸18X-230mm
  • 成膜均匀性片内&片间 ≤4%;批间 ≤3%
  • 恒温区精度350-600°C±1°C
  • 极限真空≤1Pa
技术特点
  • 系统可实现快速降温
  • 一拖一推舟结构稳定性好,效率高
  • 热场均匀性好、电场稳定性高
  • 双层水冷法兰提高密封性以及密封圈寿命
  • 维护便利性:石英管、电极快拆便利性
  • 双舟承载,功率更均匀,镀膜更均匀
PECVD均匀性