低压硼扩散设备的核心功能是在低压、高温环境下,将硼元素精准掺杂到硅片表面及内部,形成特定导电类型的掺杂层。
1、硼元素掺杂:通过气态硼源(如 BCl₃)的热分解 / 反应,让硼原子扩散进入硅片晶格,实现掺杂。 2、工艺精准控制:精确调控反应压力、温度、掺杂时间及硼源流量,保障掺杂均匀性和一致性。 3、掺杂层参数调控:可按需调整掺杂深度(结深)和浓度分布,匹配不同半导体器件的电学性能需求。