原子层沉积镀膜系统ALD

原子层沉积镀膜系统ALD

原子层沉积镀膜系统ALD

功能介绍

核心功能是通过气态前驱体交替脉冲通入反应腔,在基材表面进行自限制化学吸附与反应,沉积超薄、均匀、致密的原子级薄膜。

1、自限制原子级沉积:两种及以上前驱体交替通入且不直接接触,每次脉冲仅形成单原子层或亚原子层薄膜,实现厚度精准可控。
2、极致均匀性与保形性:薄膜厚度均匀性可达原子级精度,且能完美覆盖复杂形貌基材(如深孔、微纳结构)的内外表面。
3、工艺精准调控:精确控制前驱体脉冲时间、 Purge 时间、反应温度、腔体压力,实现薄膜成分、结构、厚度的精准定制。

参数配置
  • 产品尺寸L19200mm*W6500mm*H3550mm
  • 平均开机率>99%
  • 双舟载片量3284/3712片
  • 硅片尺寸18X-230mm
  • 均匀性片内≤5%,片间≤4%,批间≤4%
  • 温度控制150-350℃
  • 配置单插/双插/半片
技术特点
  • 左右单边机可独立运行;开机率高
  • 自研颗粒捕集器,维护时间35-50天以上
  • 整机高度适中,结构简单,方便操作大幅缩减维护时间
  • 内外腔双层密封,保证密封性和镀膜均匀性
  • 特气管路流量计精准控制,工艺气体耗量小
  • 腔体内部气体匀流设计(专利),兼容臭氧功能,可兼容更多载片,保证同等膜厚均匀性,实现高产能
ALD常规氧化铝上舟膜厚

ALD常规氧化铝下舟膜厚