低压化学气相沉积镀膜设备LPCVD

低压化学气相沉积镀膜设备LPCVD

低压化学气相沉积镀膜设备LPCVD

功能介绍

LPCVD设备的核心功能是在低压、中低温环境下,通过气相反应物分解/反应,在基材表面均匀沉积薄膜;可制备氧化硅和多种晶硅膜层,用于高效N型TOPCon和BC光伏电池,可拓展至半导体器件领域的薄膜沉积。

1、薄膜沉积核心作用:在硅片、陶瓷等基材表面形成固态薄膜,薄膜类型涵盖半导体用多晶硅、二氧化硅、氮化硅等。
2、工艺环境控制:精准控制反应腔体内的压力、温度、气体流量,为薄膜生长提供稳定条件。
3、薄膜质量保障:优良的薄膜均匀性控制、厚度精准调控,同时减少杂质残留,改善薄膜致密性。

参数配置
  • 产品尺寸L10820mm*W2400mm*H4600mm
  • 平均开机率95%
  • 炉管内径430~500mm
  • 单管载片量双插2400~3120片/管
  • 硅片尺寸18X-230mm
  • 成膜均匀性片内&片间 ≤3%;批间 ≤3%
  • 温度范围400-750℃
技术特点
  • 成熟工艺,高良品率,匹配复制简单
  • 双插数据指标与单插同样优秀
  • 独创四分热场,搭载ATS系统,控温更精准
  • 多路进气设计,高均匀性
  • 纳米镀层石英管,使用寿命长
  • 管内完全去金属化,高稳定性
  • 全自动智能化控制系统
  • 泵管加粗,大抽速减少维护频次
  • 温度自整定,减少调试时间
镀膜效果

镀膜效果

检测数据

检测数据