拉普拉斯低压水平化学气相沉积镀膜系统 LPCVD LLP370/05
拉普拉斯低压水平化学气相沉积镀膜系统 LPCVD LLP370/05

拉普拉斯最新的低压水平化学气相沉积镀膜系统可应用于N-TOPCon电池的隧穿氧化层与非晶硅生长工艺,为下一代高效N-TOPCon电池的核心工艺设备。

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  • 产品介绍
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系统的应用及特点


应用

本设备适合156-210mm硅片生产,相比常规竖直插片具有更高的镀膜均匀性,能帮助客户提升高效太阳能电池的效率、集中性、和EL良率。本设备具有行业内最高产能,能帮助客户降低固定资产投入和运营成本。


产品特点

1. 水平放片,管内空间利用率高,不仅能耗低,且具有业内最高的产能;

2. 硅片方向与气流方向一致,硅片对气流阻挡小,片内/片间均匀性更优;

3. 自重挤压,减少硅片间间隙,绕扩/绕镀可控;

4. 水平放片,更适合超大,超薄硅片生产;

5. 电池技术适用性和通用性高,可用于PERC,TOPCon等各种电池结构;

6. 整机模块化设计,兼容性好,可相互升级转换;


拉普拉斯低压水平化学气相沉积镀膜系统  LLP370/05

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