Bhadra™立式LPCVD BHC200
Bhadra™立式LPCVD BHC200
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型号

                                   

                           Bhadra™立式LPCVD BHC200


功能

  • 氮化硅/氧化硅/多晶硅(Poly-Si)/非晶硅(α-Si)薄膜沉积

  • 适用于功率半导体/衬底材料 

重要参数

  • 最大晶圆尺寸:8寸及以下晶圆

  • 最大载片量:125片/批

  • 最高加热温度:1050℃

  • 成膜种类:根据不同工艺要求工艺源可选配 

装卸片方式

  • 立式垂直升降

  • 垂直真空密封系统 

            优势
  • 先进的压力控制技术

  • 五区高精度温度场控制

  • 先进的颗粒控制技术

  • 先进微环境氧含量控制

  • 稳定的传输控制能力


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