SiC/GaN基半导体器件用Bhadra™系列BHA200型超高温退火炉
SiC/GaN基半导体器件用Bhadra™系列BHA200型超高温退火炉
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项   目

高温退火激活炉

功  能

•  用于SiC、GaN等高温退火活化工艺 

•  满足各种真空、气氛高温退火的激活工艺

重要参数

•  最大晶圆尺寸:满足6寸以下晶圆工艺要求 

•  最大载片量:50片/批 

•  最高加热温度:2000℃

装卸片方式

•  立式垂直升降 

•  立式真空密封系统



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