SiC/GaN基半导体器件用Bhadra™系列BHO200型超高温氧化炉
SiC/GaN基半导体器件用Bhadra™系列BHO200型超高温氧化炉
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  • 产品介绍
  • 数据与图片


项   目

高温氧化炉

功  能

•  用于SiC、GaN等高温氧化工艺 

•  满足真空/气氛高温氧化工艺

重要参数

•  最大晶圆尺寸：满足6寸以下晶圆工艺要求 

•  最大载片量：50片/批 

•  最高加热温度：1500℃

装卸片方式

•  立式垂直升降 

•  立式真空密封系统



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