随着市场对效率和品质的要求越来越高，单晶N型电池由于少子寿命高、光致衰减小，弱光响应好、温度系数高等优点已成为近年来高效电池产业化的热点技术。其中常规PERT和钝化接触TOPCon电池的整个工艺流程中，硼扩散工序因其制备难度大，温度高，时间长，设备成本以及维护费用高等制约了N型技术的发展和产业应用。

常规硼掺杂技术为管式垂直插片式BBr3扩散。在常压或低压下通过N2携带液态BBr3扩散源进入到炉体中。BBr3与氧气反应生成B2O3，直接作用在硅片的B2O3硅沸点达到1860℃，而扩散工艺温度一般在900～1100℃之间，B2O3在工艺过程中以液态的形式与太阳能电池片接触，导致太阳能电池片的工艺结果均匀性较差。另一方面，由于副产物BSG（硼硅玻璃）的存在，致使石英件存在粘黏现象，导致硼扩散设备存在维护周期短、成本高。而且随着硅片尺寸放大，传统垂直插片硼扩设备需要增加槽间距，以此避免掺杂均匀性大幅度变差，以及其他类似搭片问题。

LAPLACE作为国产硼扩设备开发的先行者，大胆创新，首次在硼扩设备开发上采用水平放片及气态氯化硼BCl3作为硼源，经过客户端长达3年的量产考验，目前这项技术已完全成熟，可靠性强，实现了同时兼具大产能，较好的片内片间均匀性，低的维护成本及硅片尺寸兼容性强等优势，降低了设备成本及设备运行成本，为光伏电池产业链从P型向N型转变打下了坚实的基础。

设备特点：

- 水平低压扩散具有良好的扩散均匀性

- 大产能，单管转载量可达2000片/管

- 兼容性高，兼容156，158，166，182和210等不同尺寸

- BOM成本低，低压+氯化硼扩散源成本仅为溴化硼1/3

- 运营成本低，维护简单方便，结晶不会损伤石英件

- PN结品质高，自带Cl2清洗功能可保持炉管清洁无需增加DCE清洗

- 尾气处理采用多级过滤，隔膜泵维护周期长，且维护简单

拉普拉斯公司简介：

深圳市拉普拉斯能源技术有限公司致力于成为泛半导体领域国产高端制造装备与解决方案的引领者，产品包括低压水平硼扩散，低压水平磷扩散，水平氧化铝，水平退火炉，超高温SiC退火炉，超高温SiC氧化炉，水平LPCVD，水平PECVD VEGA，PECVD TWIN，PEALD，组件贴膜等。公司目前在深圳已建成研发，制造和运营总部，并已在无锡设立拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司，规划了90亩的制造中心，以解决客户端技术难点、规模制造，智能制造等问题为己任，欢迎行业内朋友莅临拉普拉斯指导工作。

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