“当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍“这就是半导体行业的金科玉律摩尔定律。光伏产业是基于半导体技术和新能源需求而兴起的朝阳产业，纵观其发展也同样遵循着摩尔定律。在摩尔定律的驱动下，半导体行业硅片尺寸从初始的4英寸发展到主流的8和12英寸，光伏硅片尺寸的发展源自半导体（发展节奏上光伏要落后于半导体 1 到 2 代）也在朝着大尺寸的166，182或210发展。

大尺寸对产业链成本的降低，不仅在于自身成本能低多少，更重要的在于因大而带来的非硅成本的摊薄，使得产业链各环节的相对竞争力增强，投资收益提升。对于电池环节用大硅片可以摊薄折旧、辅助设施、电力、人工等成本，所以大硅片对电池生产商更具吸引力。M6相对M2电池成本降低6.15%，M12降低25.56%。大尺寸更加符合了当今硅片市场的发展趋势，但也对设备提出了更高的挑战尤其是热制程设备，如何在尺寸增加的情况下保持扩散和镀膜的产能以及均匀性。

拉普拉斯作为一家新兴的光伏设备制造厂商，公司自2016年成立之初就着手硅片大尺寸、薄片化后热制程和配套自动化设备研究。基于理论和实践（半导体扩散从6寸到8寸扩散从竖直到水平），我司相继推出了水平低压扩散（气态BCl3硼扩散和POCl3磷扩散），氧化炉，退火炉和水平低压镀膜（LPCVD等）设备。低压水平放置方式下，分子自由程增大，减少了气体的湍流，提高了扩散均匀性和稳定性，尤其对于大尺寸，电池改善尤为明显；同时水平放置硅片对气流的影响较小，气流可传输更远，有效炉管更长，产能更大，进一步增加了机台利用率，确保大尺寸下的大产能。不仅如此，硅片背靠背水平放置，贴合紧密，高温下形变量小，减少了绕扩散，更加适用于超大超薄硅片。目前基于水平放片平台，公司相继推出了低压水平扩散系统（硼扩散，磷扩散，氧化，退火）、低压化学气相沉积水平镀膜系统以及等离子体增强化学气相沉积水平镀膜系统，并在客户端得到了充分验证。公司产品理念完美契合当前光伏发展趋势，我们坚信多年的坚持与努力创新为光伏的发展贡献更好的未来。

拉普拉斯公司简介：

深圳市拉普拉斯能源技术有限公司致力于成为泛半导体领域国产高端制造装备与解决方案的引领者，产品包括低压水平硼扩散，低压水平磷扩散，水平氧化铝，水平退火炉，超高温SiC退火炉，超高温SiC氧化炉，水平LPCVD，水平PECVD VEGA，PECVD TWIN，PEALD，组件贴膜等。公司目前在深圳已建成研发，制造和运营总部，并已在无锡设立拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司，规划了90亩的制造中心，以解决客户端技术难点、规模制造，智能制造等问题为己任，欢迎行业内朋友莅临拉普拉斯指导工作。

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