客户A：我们的方阻均匀性很难控制，尤其是高方阻时中心和边角差异很大。

客户B：扩散的粘片很严重啊，尤其是大尺寸，166现在都已经这样了，那210怎么办？现在好多这种EL不良。

客户C：我们一直在放大石英舟卡槽间距，均匀性会改善一点，但产能损失太大了。

客户D：卡槽印，绕扩等不良太多了，好难啊。

客户们：你们LAPLACE水平放片是如何实现的，水平是如何避免上述问题的。“拉普拉斯小舟”长什么样啊？

石英供应商们：你们某某同行的'拉普拉斯小舟'就是我们家提供的。

这就是刚刚结束的SNEC展会上，我和同事们被问到最多的问题。那么今天我就来揭开客户及供应商口中“拉普拉斯小舟”的神秘面纱。

大尺寸更加符合了当今硅片市场的发展趋势，但也对设备提出了更高的挑战尤其是热制程设备。硅片在高温下产生形变，尤其是18X或者210硅片，在尺寸进一步加大后硅片受热弯曲，相邻硅片甚至会贴合在一起，严重影响了产品的均匀性，进而制约了大尺寸产品的发电效率进一步提升。拉普拉斯作为一家新兴的光伏设备制造厂商，公司自2016年成立之初就着手硅片大尺寸、薄片化后热制程和配套自动化设备研究。基于理论和实践（半导体扩散从6寸到8寸时，扩散从竖直到水平），我司开发了低压水平扩散/镀膜设备。全系列设备采用水平放置方式，硅片背靠背水平放置，贴合紧密，同步通过分析模拟高温下硅片形变量，合理设计承载小舟（如下图所示），根据硅片在高温下的形变程度优化小舟卡尺承接点，能够最大程度降低硅片形变量，减少了绕扩散，更加适用于超大超薄硅片。于此同时我司产品采用低压水平放置方式下，分子自由程增大，减少了气体的湍流，提高了扩散均匀性和稳定性，尤其对于大尺寸，电池改善尤为明显；同时水平放置硅片对气流的影响较小，气流方向与硅片平行，气流可传输更远，有效炉管更长，产能更大，进一步增加了机台利用率，确保大尺寸下的大产能。

新老客户的火爆询问，从供应商得知同行也都在下单”拉普拉斯小舟“，这都侧面说明传统方式在解决大尺寸硅片量产所存在的问题。如下图所示，即使硅片变大到210，”拉普拉斯小舟“依旧能够保持所有硅片相同间距，不搭片。更大的尺寸给了光伏的发展带来更大的空间，“拉普拉斯小舟”作为大尺寸硅片热制程的完美解决方案，定会成为光伏的“诺亚方舟”驶向更美好的未来。

拉普拉斯公司简介：

深圳市拉普拉斯能源技术有限公司致力于成为泛半导体领域国产高端制造装备与解决方案的引领者，产品包括低压水平硼扩散，低压水平磷扩散，水平氧化铝，水平退火炉，超高温SiC退火炉，超高温SiC氧化炉，水平LPCVD，水平PECVD VEGA，PECVD TWIN，PEALD，组件贴膜等。公司目前在深圳已建成研发，制造和运营总部，并已在无锡设立拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司，规划了90亩的制造中心，以解决客户端技术难点、规模制造，智能制造等问题为己任，欢迎行业内朋友莅临拉普拉斯指导工作。

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